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本論文主要的內容在探討以非晶矽鍺為材料所成長的光電晶體之特性，此結構基本
上屬於能障型光電晶體。在照光情形下，因光激電洞在能障區堆積，使能障的高度
下降，導致大量的電子由射極放射至集極，而產生大的光電流。吾人已成功地將其
製造在玻璃基板上。
此外，我們討論了元件在未照光下的I-V 特性及在照光下的I-V 特性，光譜響應，
光增益及反應速率等。元件波長隨集極厚度而變，峰值從750nm 變化到850nm 。在
Ｖce等於12V 時以波長780nm, 60μW之雷射光照射下可得到的最大光增益為25。響
應速度的上升時間可達40μs ，下降時間則為400μs，此結果可以用a-SiC 層之載
子捕捉作用來解釋。所以，本元件可作為高增益的紅外線光感測元件之用。
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