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研究生:黃志仁
研究生(外文):HUANG, ZHI-REN
論文名稱:以光激化學氣相沉積法製造金氧半結構元件之研究
論文名稱(外文):Metal-oxide-semiconductor structure devices preparecd by photo-chemical vapor deposition
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):SU, YAN-SHEN
學位類別:博士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:161
中文關鍵詞:光激化學氣相沉積法結構元件研究
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目錄
中文摘要
合格證明
Ackonwledgement
Abstract
Table Captions
Figure Captions
CHAPTER 1 Introduction
CHAPTER 2 Experimental Procedures
§2-1 Substrate Preparation
§2-2 Mechanism Of Photo-CVD
§2-3 Growth Process
§2-4 MOSFET fabrication process
CHAPTER 3 Results and Discussion on Photo Oxidx,Oxide-semiconductor Interface Interface and MOS capacitor
§3-1 Properties of Photo-SiO2
§3-2 Estimation of Oxide-Semiconductor Interface
§3-3 Capacitance-Voltage measurement
§3-4 I-V measurement
§3-5 DLTS measurement
CHAPTER 4 Characteristics of MOSFFTs
§4-1 Si MOSFET
§4-2 InP MISFET
CHAPTER 5 Conclusion and Futur Prospects
References
Tables
Figures
APPENDIX A
APPENDIX B
APPENDIX C
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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