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研究生:王瑞祿
研究生(外文):WANG, RUI-LU
論文名稱:砷化鎵□摻雜之負電阻元件之研製
論文名稱(外文):The study and fabrication of GaAs delta-doping related negative differential resistance devices
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):SU, YAN-SHEN
學位類別:博士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:127
中文關鍵詞:砷化鎵負電阻元件研製
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目錄
中文摘要
合格證明
ABSTRACT
ACKNOWLEDGEMENTS
TABLE and FIGURE CAPTIONS
I. INTRODUCTION
II. DELTA-DOPING SWITCHING DEVICES
2.1 DELTA-DOPING NIPI SUPERLATTICE SWITCHING DIODE
2.2 DELTA-DOPED TRIPLE-BARRIER SWITCHING DEVICE
III. DELTA-DOPING INDUCED DOUBLE BARRIER QUANTUM WELL DIOEDS
3.1 BAND DIAGRAM of DELTA-DOPING INFUVRF FNWE FIOFR
3.2 CALCULATION of I-V CHARACTERISTICS
3.3 EXPERIMENTALS & DISCUSSIONS
IV. GROWTH of DELTA-DOPING LAYER by LPMOCVD
V. DELTA-DOPING INTERBAND TUNNELING DIODE
5.1 P-N DOUBLE WELL INTERBAND TUNNELING DIODE
5.2 DELTA-DOPING P-I-N INTERBAND TUNNELING DIODE
5.3 DELTA-DOPED SINGLE BARRIER INTERBAND TUNNELING DIODE
VI. CONCLUSIONS
REFERENCES
TABLES and FIGURES
VITA
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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