本文主要在比較電子槍蒸鍍法與直流反應式濺鍍法成長鈦酸鉛鐵電薄膜的結果。由實
驗結果說明電子槍蒸鍍法不適用於成長鈦酸鉛薄膜，而直流反應式濺鍍法配合退火處
理可成功地製作出鈦酸鉛鐵電薄膜。由濺鍍的結果研究靶，基板溫度，試件位置，靶
－試件座距，成長壓力，濺鍍功率等成長參數對於薄膜組成，表面形態，以及成長速
率的影響，並比較薄膜濺鍍在不同基板上的結果。
實驗所採用的多元素金屬靶設計可輕易地調整濺鍍膜的組成。在 700℃， 3小時的退
火處理下可得結晶良好的鈦酸鉛鐵電薄膜。當靶上鈦和鉛的受濺射面積比為0.96時，
初始濺鍍膜的組成鈦鉛比約0.39，經過退火形成菱面體晶形的結晶。當靶上鈦和鉛的
受濺射面積比為1.36時，初始濺鍍膜的鈦鉛比約 0.8，經過退火形成四方晶形的結晶
，其ｃ軸與ａ軸的晶格常數比為1.046 。本實驗研製之鈦酸鉛薄膜可做為發展鐵電非
揮發性記憶體，熱電紅外光感測器的基礎。
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