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研究生:鄭文華
研究生(外文):CHENG, WEN-HUA
論文名稱:聚偏二氟乙烯多層式結構製備上之研究
論文名稱(外文):A study on the preparation of PVDF multi-layers structure
指導教授:黃華宗
指導教授(外文):WHANG, WHA-TZONG
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:英文
論文頁數:68
中文關鍵詞:多層式結構聚偏二氟乙烯界面耦合劑
外文關鍵詞:MULTI-LAYERS-STRUCTUREPVDF3-AMINOPROPYL TRIETHOXY-SILANE
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應用多層式聚偏二氟乙烯 (PVDF) 壓電薄膜與積體電路結合製成之感測器在製備上
存在兩個主要關鍵,一為使 PVDF 薄膜與積體電路(矽晶片)及金屬電極(鋁)具
有良好的介面接著性,另一為使 PVDF 薄膜具有壓電特性,前者尚未有這方面之研
究,後者則已被廣泛研究。本研究利用一種界面耦合劑 (3-Aminopropyltriethoxy
silane, 3-APS)對基材之處理,可大幅提高薄膜與基材之界面接著性使其具有實用
價值,由90度剝離試驗機測試之PVDF/3-APS/Si 及PVDF/3-APS/Al 界面剝離強度均
可達110g/mm 以上,與微電子應用之介電材料(聚亞醯胺)在矽晶片上之接著性 (
11g/mm) 比較,毫不遜色。剝離強度不僅與膜厚及剝離速率有關,界面耦合劑之濃
度,處理之時間及基材表面之前處理均為影響因素。界面接著機構由紅外光譜及掃
描式電子顯微鏡觀察PVDF剝離表面得到推論。經旋轉塗佈烘乾法製成之PVDF薄膜含
β和γ混合相;溶劑種類、溶液濃度將影響膜之結構,可由紅外光譜鑑別。唯本研
究使用之極化電場僅達0.9MV/cm,遠低於產生壓電性所需之強度(4MW/cm),但可以
預見此膜在所需電場強度下極化將具有壓電性。

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