(3.237.97.64) 您好!臺灣時間:2021/03/03 04:37
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:賴志誠
研究生(外文):LAI, ZHI-CHENG
論文名稱:利用準分子脈衝雷射蒸鍍法即時製備釔系高溫超導薄膜於鍍YSZ緩衝層之矽基板
論文名稱(外文):In-situ deposition of superconducting YBCO films on Si(100) with YSZ buffer layers by pulsed excimer laser ablation
指導教授:郭義雄郭義雄引用關係吳光雄吳光雄引用關係
指導教授(外文):GUO, YI-XIONGWU, GUANG-XIONG
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:英文
論文頁數:29
中文關鍵詞:緩衝層釔系超導薄膜結晶性
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:70
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
雷射製備釔系高溫超導薄膜於已鍍YSZ 緩衝層 (buffer layer) 之矽(100) 基板上
之最佳蒸鍍條件已被有系統底研究。吾人發現YSZ 緩衝層可於真空條件中即時以雷
射蒸鍍於矽基板上,且高品質的釔系高溫超導薄膜在不須破壞真空條件下可隨後被
蒸鍍於其上。吾人現已成功底於 YSZ/Si (100) 上製備出超導臨界溫度為85K;臨界
電流密度在77K > 2.0×10A/cm,在20K > 2.0×10 A/cm的釔系超導薄膜
,其中YSZ 緩衝層於 830℃製成,其厚度約800 埃。緩衝層的厚度和其即時退火處
理是獲得高品質釔系超導薄膜的重要條件。薄膜拉曼(Raman) 光譜分析進一步指出
YBCO/YSZ/Si(100)易形成弱軸向 (weak-epitaxy) 成長,因此YSZ 緩衝層厚度的控
制和其結晶性質為獲得高品質釔系超導薄膜之必要條件。基板/緩衝層和超導薄膜
/緩衝層的界面反應對超導薄膜的影響亦加以討論。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔