(3.232.129.123) 您好!臺灣時間:2021/03/06 01:02
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:徐世昌
研究生(外文):XU, SHI-CHANG
論文名稱:電漿輔助化學氣相沈積法成長的二氧化矽及非晶矽薄膜電晶體
論文名稱(外文):PECVD silicon dioxide and hydrogenated amorphous thin film transistor
指導教授:張俊彥
指導教授(外文):ZHANG, JUN-YAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:89
中文關鍵詞:電漿輔助化學氣相沈積法成長二氧化矽非晶矽薄膜電晶體
相關次數:
  • 被引用被引用:1
  • 點閱點閱:66
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
由本研究群自行設計的電漿輔助化學氣相沈積系統,在攝氏溫度250∼350℃間,藉
由高流量的氦氣來稀釋矽甲烷和氧化氮的混合氣體,已成功地沈積出材質甚佳的電
漿二氧化矽薄膜,並且在材料和電氣特性的分析下,尋找出最佳的沈積條件。吾人
利用金氧半電容器的結構,來量測其〝電流-電壓〞以及〝電容-電壓〞特性,諸
如崩潰電場強度,崩潰電荷密度等,並求出電漿二氧化矽和單晶矽之間的〝介面捕
捉陷阱密度〞。我們發現由攝氏溫度250℃所成長的電漿二氧化矽,在經〝溫度400
℃氮氣退火處理〞後,具有較低的介面捕捉陷阱密度,僅約 4×1010 cm-2
eV-1左右,然而溫度 350℃所成長的電漿二氧化矽,在加電壓和加熱的測試中具
有較佳的穩定性。吾人發覺〝氮氣退火處理〞可以很明顯地降低電漿二氧化矽和單
晶矽之間的介面捕捉陷阱密度。最後,我們利用這些電漿二氧化矽,來作為非晶矽
薄膜電晶體的閘極介電絕緣膜。發現使用材質好的非晶矽薄膜,在低溫退火後,可
得到〝開/關電流比〞將近106 ,而〝場效載子移動率〞可達0.59 cm/V-sec
左右,是非常不錯的非晶矽薄膜電晶體特性。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔