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研究生:王泰和
研究生(外文):WANG, TAI-HE
論文名稱:四百萬位元可抹除可規劃唯讀記憶體在資料持久力方面的研究
論文名稱(外文):Study of 4Mb EPROM on data retention
指導教授:張俊彥
指導教授(外文):ZHANG, JUN-YAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:93
中文關鍵詞:四百萬位元可抹除可規劃唯讀記憶體資料持久力
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在本論文中,我們主要對可抹除可規劃唯讀記憶體(EPROM) 在資料持久力方面的研
究,雙層複晶矽之間ONO 及polyoxide 用高溫長時間烘烤,來測試介電質資料儲存
的可靠度,在汲極擾亂特性,用交流信號來討論其可靠度。
在EPROM 元件中,資料持久力是最重要的考慮,ONO 介電層有低漏電流,好的資料
保持力高的崩潰電場。我們發現底層二氧化矽的品質和第一複晶矽的濃度關係很大
,而邊緣的漏電流,可用較厚的二氧化矽將周圍包圍起來,而元件的氧化層對元件
持久力也很重要。
在汲極擾亂實驗,我們發現高頻交流信號所產生的位移電流對浮動極會有熱效應,
使資料會有嚴重漏失的現象。
最後,EPROM 在照幅射線下,資料持久力有何影響,發現EPROM 在照幅射線後,資
料持久力已不如以前,也就是在外太空操作,得注意幅射線的干擾。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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