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研究生:林璧君
研究生(外文):LIN, BI-JUN
論文名稱:運用氫電漿前處理對離子植入負型阻劑之氧電漿清除的探討
論文名稱(外文):Studies on the hydrogen plasma pretreatment for the oxygen plasma stripping for ion implanted negative resist
指導教授:龍文安龍文安引用關係
指導教授(外文):LONG, WEN-AN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:應用化學研究所
學門:自然科學學門
學類:化學學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:30
中文關鍵詞:氫電漿離子植入
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由於元件縮小化的未來趨勢,能製作淺接面離子植入之離子佈植技術便成為不可或
缺的工具。因為離子佈值是低溫製程,所以高分子阻劑常被拿來當做局部離子佈植
時之罩幕。高分子阻劑雖然有其方便性,但是在清除時卻遭遇了困難。本研究便針
對此點做探討,並提出以氫電漿前處理作為解決之方法。以Si及As當離子源植
入HR-200中,可發現氫電漿前處理時間越久,溫度越高,對於改良氧電漿清除的效
果越好。經由FT-IR 證實氫電漿確實對於離子佈植後之阻劑有改質效果,其活性氫
原子能與離子形成易揮發性之氫化物。ESCA資料顯示氧電漿清除時產生難以揮發之
氧化物,而氫電漿則能有效清除佈植之離子。

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