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研究生:李鴻生
研究生(外文):Li, Hong-Sheng
論文名稱:DiamonddepositionandeffectofaddinghydrogeninCH-COmixturebyMPCVD
指導教授:陳家富陳家富引用關係
指導教授(外文):Chen, Jia-Fu
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:80
語文別:中文
論文頁數:50
中文關鍵詞:鑽石合成氣相沈積法材料科學物理
外文關鍵詞:DIAMOND-DEPOSITIONMPCVDMATERIALS-SCIENCEPHYSICS
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近來,我們致力於尋找能成長鑽石的新氣體源之際,發現不需加入大量氫氣也能合
成鑽石之氣體源。本研究採用微波電漿化學氣相沈積法。首先探討以CO替代大量
氫氣的添加,嘗試以丙烷+二氧化碳作為反應氣體源,來合成鑽石的可能性和薄膜
的成長速率及析出物的表面形態,其次是探討在丙烷+二氧化碳系中添加微量的氫
氣,對合成鑽石的影響。
實驗結果顯示,使用CO取代大量氫氣時,可以得到高品質的鑽石。並且可提高成
長速率生成的鑽石晶體為星形銳角多結晶體。在溫度 840℃時,丙烷+二氧化碳系
中鑽石薄膜的最大成長速率為 2.2μm/hr。這個值大約是在相同溫度下,丙烷+氫
系鑽石成長速率的一倍。反應溫度在 920℃時,可得最大成長速率,此時鑽石薄膜
的成長速率約可達 2.7μm/hr。當添加微量的氫氣時,鑽石的品質隨著氫氣的添加
量而逐漸變差,顯示除了碳氫化合物之微量氫氣之外,不需要添加額外的氫氣,即
能合成高品質的鑽石薄膜。

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