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研究生:黎文力
研究生(外文):LI, WE-LI
論文名稱:二維變摻場效電晶體元件模擬
論文名稱(外文):Two-dimensional MODFET device simulation
指導教授:高家雄
指導教授(外文):GAO, JIA-XIONG
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1992
畢業學年度:80
語文別:英文
論文頁數:36
中文關鍵詞:薛丁格方程式元件量子井
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在本論文中,以同時解出薛丁格方程式,波以松方程式和連續方程式,三個方程式的
二維數值模型來分析模擬砷化鋁鎵/砷化銦鎵/砷化鎵結構的變摻場效電晶體元件,
而這三方程式則是以有限差異法來將微分多項式化成零次多項式。
波以松方程式適用於整個元件範圍。而薛丁格方程式使用範圍則只局限於量子井中,
以獲得其波動函數及能階。連續方程式範圍分為量子井中及量子井外兩部分。在量子
井中,使用一維連續方程式,且以熱離子發射模型來考慮流過量子井異質介面的電流
,而在量子井外,則以傳統方法來分析。由本研究的模擬結果,可看出數值分析法的
重要性,即由載子濃度與電位及電流密度在整個元件的分佈圖,可觀察出載子在元件
中的運動情形,進而調整元件結構以獲得較佳的特性。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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