臺灣博碩士論文加值系統

本文之研究主要是利用蒙地卡羅方法，以修正過的 DLA 模型為基礎，加
上平均自由路徑、表面擴散運動，和新定義的黏著機率來模擬二度空間四
角晶格與三角晶格上晶體表面形貌的演變情形。文中將探討模擬時應注意
的技巧問題（包括緩衝區厚度及質量中心偏移的修正）和各項物理參數（
包括平均場參數、溫度、鍵結能、過飽和程度以及平均自由路徑）對晶體
形貌演化的影響。由模擬結果吾人得知平均場參數的大小應對應到成長系
統接近平衡過程的程度，較大的M 值表示較接近準靜態過程。此時形成的
形貌較規則且呈現出晶格的形狀。而由溫度、鍵結能、過飽和程度與晶體
形貌發展之間的相關性，吾人得到一形貌分佈圖，其中大致可分為五個區
域：六角刻面、六角突出、圓形、緻密分枝（dense-branching mor-
phology）和六角突枝。在化學能差.DELTA..mu./kT.ltorsim.0.01時，晶
晶體形貌幾乎均為刻面狀，超過此一下限，形貌才隨著鍵結能而變化，由
此顯示形貌和過飽合程度密切相關。而從這些區域隨時間發展的消長情況
來看，顯示某些區域的形貌會轉化成另一個區域，甚至消失。當考慮較大
平均自由路徑時，晶體大小（critical size）增大且顯得較緻密，顯示
較大的平均自由路徑對於擴散不穩定性造成的影響有穩定的作用。