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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:黃貞浩
研究生(外文):Hwang Jen Haw
論文名稱:以熱中空陰極放電化學氣相沈積法成長鑽石薄膜
論文名稱(外文):Growth of Diamond Thin Films by Hot Hollow Cathode discharge Chemical Vapor Deposition
指導教授:洪昭南洪昭南引用關係
指導教授(外文):Franklin Chau-Nan Hong
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:化學工程研究所
學門:工程學門
學類:化學工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:中文
中文關鍵詞:鑽石薄膜中空陰極放電化學氣相沈積
外文關鍵詞:diamond filmHollow Cathode DischargeChemical Vapor Deposition
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  本研究採行具有產生高電漿密度,並兼合熱裂解功能的中空陰極放電
化學氣相沈積系統,成長鑽石薄膜。在以鉭管為陰極的中空陰極放電現
象 中,鉭管會產生高熱(頂端溫度可達2000°C以上)並維持一高電流低
電壓的直流放電。反應氣體採用甲烷+氫與氯化甲烷+氫二種系統;另外,
在中空陰極與置放基板的陽極之間,我們額外加入一第三電極,以改善薄
膜成長的均勻度,並做為日後大面積化的工具。初步研究結果顯示,在本
系統特性的環境下,薄膜成長速率可達3.2μm/hr以上,且於甲烷7 VOL%
的高碳濃度條件下,仍可成長結晶性良好的鑽石膜。惟本系統因鉭管的高
溫操作,有鉭蒸發對薄膜成長發生干擾的現象。經實驗証明,鉭管內流量
愈大、氣壓愈大以及氯存在的條件下,會使鉭污染程度升高,造成薄膜成
長不均及品質的惡化,並於薄膜和基板之間,引生一中介層而使附著力變
差。關於污染對薄膜生長干擾的原因,與中介層產生的機制,我們將有詳
細的討論。

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