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本研究以熱鎢絲化學氣相沉積法，裂解甲烷和氫氣，在經不同前處理
的(111) 矽基板上沉積生長鑽石鍍層及鑽石顆粒。本實驗中改變甲烷濃度
、基板溫度及系統壓力等實驗參數，以探討其對鍍層的外形 生長速率及
鑽石顆粒的晶癖之影響。鍍層的各種性質以 XRD, SEM, AES, RAMAN,
FT-IR等方法進行鑑定與分析。實驗結果顯示：在基板溫度越低，適合鑽
石生長的條件範圍增多。不同的壓力，對生長範圍亦有影響，以在30
torr時最大。隨甲烷濃度增大，鑽石的外形由具鑽石晶形變成球狀外形。
在鑽石晶癖方面，立方八面體分別以一組、二組及三組 {111}雙晶面形成
雙八面體、十五面體及二十面體。在生長過程方面，鑽石除了以層狀生長
方式成長外，亦發現有循環雙晶生長作用及再成核包裹作用。
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