本研究採用微波電漿化學氣相沉積法，分別以各種碳氫化合物及各種碳氫
氯化合物與氫氣的混合為反應原料，在低壓及低溫下，於矽晶片，合金鋼
及光學玻璃基板上沉積鑽石膜，藉改變各種蒸鍍條件來研究MP CVD 鑽石
膜的各項結晶及成長特性與應用的影響。實驗結果顯示：藉由控制適當C/
H 原子濃度比例，碳氫化合物原料均可成長鑽石膜。非晶質基材均能成長
鑽石膜，且結晶型態類似。鑽石膜結晶缺陷以雙晶及差排為主。使用氯化
甲烷為反應原料，可得結晶性良好的鑽石膜。隨著三氯甲烷濃度的增加則
鍍層凝核密度提高，結晶性劣化，非鑽石相比例增加。鑽石膜成長溫度可
降低至450C。經由非晶質中間層的被覆，鑽石膜可沉積在碳化鎢及合金鋼
上。使用微波電漿化學氣相沉積法所得到的碳化矽均具有微結晶beta－碳
化矽結晶結構。矽的原子百分比約在52∼57% 之間，並隨著溫度的降低而
升高。成長速率達3 um/h。表面視硬度約在2500∼3500 Hv 之間。經由微
結晶beta－碳化矽中間層的被覆，鑽石膜亦可沉積在碳化鎢及合金鋼上。
以微波電漿法成長之微結晶碳化矽，在3-5 um波段內具有紅外線穿透的光
學性質，主要的缺陷結構為氫的不純物。將鑽石膜被覆在碳化矽／氟化鎂
複合層上，可將氟化鎂表面硬度提高到 2000 Hv以上。
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