本研究使用二硫化碳 ( carbon disulfide ) 為硫源，二乙基鋅 (DEZ)為
鋅源，以有機金屬氣相化學沈積法(MOCVD) 於 n-type(100)矽晶片及康
寧7059系玻璃上，成長硫化鋅薄膜，藉改變基板溫度，反應室壓力，反應
物莫耳比及平衡壓力的氫氣流量等實驗參數，觀察這些參數對薄膜成長率
，結晶性，表面形態光學性質及電性之影響，來探討其成長的機構。由實
驗結果顯示: 薄膜之成長率隨反應室壓力升高而升高，而在成長溫度較高
時隨成長溫度上升而成長率下降，但再增加氫氣之流量降低反應物濃度後
卻增加薄膜的成長率，證明成長率對溫度及壓力之依存性，並非單純與反
應物之吸附係數有關，而與二硫化碳分解形成硫化氫之分解率有關，因此
，二硫化碳 先分解形成硫化氫 再與二乙基鋅反應形成硫化鋅為可能之反
應機構。利用二硫化碳為硫源成長硫化鋅，成長率最高點依加入之氫氣多
寡而變化，加入之氫氣愈多，成長率有往低溫低壓移動的趨勢，其結晶性
則為沿基板方向之擇優方向複晶，而其折射率與電阻率隨成長溫度升高而
上升，其最高值分別為 2.3 及3.1 X10 M?cm Zn/S原子莫耳比與/ 二乙
基鋅流量比，基板溫度及氫氣流量有關，當溫度於攝氏150 度總流量150
sccm及二硫化碳/ 二乙基鋅流量比等於10時，可得Zn/S約等於1 。
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