自傳高溫合成法是利用化學反應熱的自行傳遞 ,以持續化學反應,以合 成多種功能材料的省能源之新製程。二矽化鉬是一種具有潛力的高溫電熱 功能及結構材料 。它的熔點高達攝氏2050度,具有6.24克立方公分之低 密度 ,和有優異的高溫抗氧化與抗腐蝕的性質。本實驗係利用自傳高溫 合成法來合成二矽化鉬 ,探討粉體孔隙率、點火前的預熱溫度、稀釋劑 添加量對於燃燒特性(如合成溫度、燃燒速度、溫度與時間)以及合成物轉 化量的影響,並進一步討論自傳高溫合成的反應機構。實驗結果顯示 , 放熱值與熱散失會影響自傳高溫合成時的燃燒形態 ,高的放熱值與低的 熱散失會使燃燒形態從螺旋式的燃燒轉換為穩態式的燃燒 。孔隙率對合 成溫度的影響不大,但對燃燒速度的影響較大 。約在孔隙率33.8%時, 達到最高燃燒速度;在孔隙率高於39%時,反應無法自行傳遞 。添加劑 量的影響,會造成合成溫度與燃燒速度的降低 。當添加劑量達到20%時 ,反應無法自行傳遞。並且添加劑量增加時,合成率會降低 。預熱溫度 的增加可以增加合成溫度與燃燒速度,同時可以提高合成率 。經由實驗 數據的計算發現反應的活化能為每莫耳210.6千焦,故反應為矽擴散入二 矽化鉬所控制。而且發現二矽化鉬的自傳高溫合成反應為類似於液相燒結 的反應 。所合成的二矽化鉬具有缺陷存在。
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