|
近年來OEIC元件盛行,其結構常將光電晶體,發光二極體或雷射二極體等元 件結合成單一元件使用,如光接收器(Receiver),光放大器(LAOS)等.且其 材料皆為Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族等成本較高的材料.鑑於此,本論文結合一a- SiC/a-Si異質接面光二極體及一紅光發光二極體製作成一光頻率轉換器, 成功的將波長450 nm之藍光轉換成669 nm的紅色光.其結構為 p-GaAs1- xPx 2μm/n-GaAs1-xPx 30μm/n-GaAs 300μm/Au/Ge/ ITO 1000A/n-a- Si 300A/i-a-Si 400A/p-a-SiC 40A/ITO 1000A得其轉換效率為0.026%.本 論文中,將會詳細的說明其製程,轉換效率曲線及其速度響應.本元件結合 LED及p-i-n光二極體,得其轉換效率約只有0.026%,而速度響應較單晶矽慢 許多,其原因有如下:LED發光效率太低,p-i -n二極體面積太大及p,n層電 阻太高等。欲改善其缺點可試著朝下列方法改善: (1)將LED材料改為 GaAlAs,因為以此材料製成之紅光LED其效率可達15%。 (2)設法改善光進 入p-i-n的量,如:改善ITO品質增加透光率,或改用Ag當反射層。 (3)利用 μc-SiC取代a-SiC,以減低p-i-n內部電阻並增加透光率。若朝這三種方法 努力,相信可得效率更高,速度更快的光頻率轉換器.此外,改變LED及p-i-n 結構我們就可以任意改變光之頻率。
|