氮化鋁（ATN） 具有高導熱率，因而在電子陶瓷的領域中備受矚目，且其抗熱衝擊性
佳，具有防彈特性，除此之外，尚有高電絕緣性和低的熱膨脹係數等優點。但是氮化
鋁的破壞韌性低（約3.0MPa*m^1/2），限制其應用的範圍，本研究嘗試以A1，在常壓
中進行燒結，燒結的條件為1800℃，1 小時，並通入氮氣為保護氣氛。在升溫過程中
，為避免試片中A1的揮發，採用有螺紋可密閉性良好的坩堝，並以75wt%和30wt%A1的
生胚其燒結體的相對密度可達理論密度的93％左右，且其殘留的A1含量接近30％。
A1/AIN複合材料的硬度小於300kg/mm^2，但其壓痕上沒有裂縫的傳播，強度低於180M
Pa，但其韌性可達燒結AIN 的3 倍（約9MPa*m^1/2），A1對AIN 的潤溼相當好，沒有
分離（debonding） 及界面破壞（interfacial fracture），破壞模式有鋁的延性破
壞及顆粒的劈裂，類似於以顆粒強化的金屬基複合材料。
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