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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:牟慶聰
研究生(外文):Chin-tsung Mo
論文名稱:可自我診斷的內建自我測試電路記憶體設計
論文名稱(外文):A self-diagnostic BIST memory design
指導教授:李崇仁李崇仁引用關係
指導教授(外文):Chung-Len Lee
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:英文
論文頁數:34
中文關鍵詞:自我診斷記憶體自我測試容錯設計
外文關鍵詞:self-diagnosticRAMBISTredundant design
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  本論文提出能用於內嵌式隨取記憶體之自我診斷內建自我測試隨取記
憶體結構,此結構在極少的硬體負擔下,達到自我診斷的能力。在隨取記
憶體正常運作狀況下,此自我測試結構對速度性能方面降低極少。本設計
採用兩組可以偵測大部份錯誤模式的測試型量,以增快自我測試與診斷的
速度。有了自我診斷能力後,自我測試隨取記憶體的設計就能結合自我修
護容錯設計,以增加內嵌式隨取記憶體的良率。

In this thesis, a self-diagnostic BIST RAM structure for the
embedded RAM which achieves the self-diagnostic capability
with only a minimal overhead is proposed. The BIST structure
degrades a little on the speed performance of the RAM in
normal operation. Two sets of test patterns which can detect
most of the models of failures are adopted to speed up the
self-testing and diagnosis. With self-diagnosis capability,
this BIST RAM design can be incorporated with the
self-repaired redundant design to increase the yield of the
embedded RAM.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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