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研究生:唐敬堯
研究生(外文):Ching-Yaou Tung
論文名稱:金氧半電晶體次臨界電流之統計模擬
論文名稱(外文):Statistical Modeling of Subthreshold Current in MOSFET
指導教授:陳明哲陳明哲引用關係
指導教授(外文):Ming-Jer Chen
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:英文
論文頁數:60
中文關鍵詞:次臨界電流表面反應法實驗計劃法
外文關鍵詞:subthreshold currentresponse surface methodologyexperiment design ...
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金氧半電晶體(MOS) 操作在次臨界區域具有許多優點,特別是在對積體類
比電路的設計與實現上。故有必要瞭解金氧半電晶體元件與其構成之電路
操作在次臨界區域的特性。因此首先我們必須根據實驗數據建立一個有效
率的模型,藉由表面反應法(RSM) ,包括實驗計劃法與迴歸分析等步驟,
最後我們可以建立一個二次式函數的統計模型; 根據輸入結構參數即可得
到所要之元件特性參數值。此模型可幫助瞭解金氧半電晶體次臨界電流相
應結構參數之變動影響,因此高性能CMOS類比電路操作於次臨界區域設計
與實現可以獲得。

MOSFET's operating in the subthreshold current region have many
advantages in neural network system implementations and
applications. In order to in vestigate MOS devices and circuits
whose components are operating in the subthreshold current
region for large-scale analog circuits, we must first build up
an efficient model based on the experimental data. By the
response surface methodology based on experiment design and
regression analysis, we can establish the quadratic model
between device performance response and input structure
parameters. This model can help us understand the variations of
MOSFET subthreshold current and thus the high-performance CMOS
analog curcuits using the subthreshold current characteristics
can be achieved.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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