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本論文以速率方程式為基礎,經由數值模擬與理論分析深入探討半導體雷 射受回授光的影響。降低線寬增強因子, 或是增加增益飽和因子、半導體 雷射空腔長度、 偏壓電流、 端面反射率將可減低延遲系統對回授量的敏 感度, 這些歸納結果可做為半導體雷射對回授光不敏感的一項指標。鬆弛 振盪頻率與外部空腔頻率的比值會決定出不同到混沌的路徑 ;當延遲比值 小於 0.8,亦就是在短距離的外部空腔長度時,是以週期加倍的路徑到混沌 狀態; 當延遲比值大於 0.9,也 就是在長距離的外部空腔長度時,是以近 似週期的路徑到混沌狀態;當延遲比值在 0.8與 0.9附近時,會出現次諧波 振盪的路徑。以本論文所觀察具有低阻尼因子之半導體雷射而言,第一個 振盪頻率起源於鬆弛振盪,第二個振盪頻率在長距離外部空腔下是起源於 外部空腔頻率,在短距離外部空腔下可能起源於系統的非線性耦合機制。
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