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研究生:任興華
研究生(外文):REN, XING-HUA
論文名稱:有機金屬氣相磊晶系統之研究
論文名稱(外文):Study of organometallic vapor phase epitaxy system
指導教授:李威儀李威儀引用關係
指導教授(外文):LI, WEI-YI
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:中文
論文頁數:120
中文關鍵詞:有機金屬氣相磊晶系統
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有機金屬氣相磊晶法在生長化合物半導體上有獨到的優點,本研究目在設計及建立一
多功能高精確度的有機金屬氣相磊晶系統。此系統採常壓操作,可以同時容納12種反
應先驅物,反應腔是石英製水平反應腔,以高功率的紅外燈加熱,長晶溫度最高可達
800℃ 以上。系統中的每一個流量控制器、氣動閥及Manifold都可以選擇經面板控制
或電腦控制,這使得整個系統在控制上既靈活又方便,而且整個長晶過程的的進行完
全由電腦長晶程式控制,可以精確掌握每一個細節。在長晶程式設計上,最小的時間
單位是秒,如此可以達到快速氣體切換的目的,這對磊晶層的界面品質相當有幫助。
有機金屬氣相磊晶法最大的問題在於所使用的反應物具有毒性,這將對整個製程安全
造成威脅,因此我們的系統對於安全措施做了完整的整合工作,這包含了所有的防漏
、測漏設備以及毒氣偵測器,可以完全避免意外的發生。

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