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研究生:郭永杰
研究生(外文):Guo, Yong-Jie
論文名稱:OrganometallicvaporphaseepitaxyofGaInP/GaAsbyflowratmodulation
指導教授:李威儀李威儀引用關係
指導教授(外文):Li, Wei-Yi
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:81
語文別:中文
論文頁數:97
中文關鍵詞:OMVPE系統流量調制法異質薄膜電子物理電子工程
外文關鍵詞:ELECTROPHYSICSELECTRONIC-ENGINEERING
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GaInP化合物半導體材料,當x=0.5時,Ga0.5In0.5P晶格常數正好與GaAs
晶片相匹配,此時對應的直接能隙約有1.9 eV。具有這樣的優點,使得 Ga0.5
In0.5P 在光電元件上有相當廣泛的應用:發光二極體、可見光雷射二極體等,
皆屬於其應用的範疇。
目前,在準備化合物半導體材料的方法上,原子束磊晶法(MBE) 與有機金屬氣相磊
晶法(OMVPE) 是最被廣泛應用的磊晶技術。而較之於原子束磊晶法,有機金屬氣相
磊晶法對磊晶厚度的控制仍稍嫌不足。事實上已有許多人在OMVPE 系統中嘗試新的
磊晶技巧,以期能夠強化OMVPE 對磊晶厚度的控制能力。其中,流量調制法(包括
原子層磊晶法)是相當符合需求的磊晶技術。由於原子層磊晶法的磊晶機制特殊,
將成為本論文探討的重點。實驗結果顯示,在OMVPE 系統中以原子層磊晶法成長
Ga0.5In0.5P材料,需要較短傾流時間以及較長的氫氣吹沖時間;而最佳的磊
晶溫度範圍是從500℃到650℃。
實驗過程中,將採用掃瞄電子顯微鏡、Normarski 顯微鏡及x-ray 來觀看磊晶層表
面型態並鑑定其品質;而確切的薄膜厚度可以經由surface-profiler量測獲得。

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