本研究以化學共沉法(Chemical Coprecipitation)所得銀鈀粉末為原料製
成厚膜(Thick Film)導體,粉末大致分為三類:(一)混合粉末 (二)合金粉
末(三)部份合金粉末,各類粉末的振實密度相近,而比表面積.粒徑及製程
不同,配合 TGA.DTA, X-Ray 繞射, SEM 及 EPMA 的研究及觀察,由燒結行
為及其反應機構,探討不同粉末特性與其厚膜燒結性之間的關係銀鈀厚膜
燒結過程的物質傳輸機構, 主要是循晶界擴散 ( Grain Boundary
Diffusion)模式進行;但由於混合粉末的厚膜在燒結過程中 , 銀的移動性
較強, 因而燒結進行的合金化(Alloying)的情況較劇烈 ,電阻的變化也
大,結果形成的厚膜,為薄層銀基地(Matrix)上,分佈銀鈀合金(AgPd)晶粒
的形態; 而合金粉末的厚膜, 燒結進行的合金化較和緩, 形成的厚膜為單
純銀鈀合金晶粒相接的連續形態; 部份合金粉末的厚膜性質介於其中, 但
偏向合金粉末所有不同銀鈀粉末的厚膜燒結性質,均受粉末粒徑.粉末形狀
和比表面積影響; 球狀.粒徑小.比表面積大的粉末有利於燒結, 而硬團
塊 (Hard Agglomerate)有害於燒結緻密性, 經由分析研究結果, 本論文
提出不同銀鈀粉末特性對厚膜燒結性質的影響, 可由其呈現之燒結行為來
說明