在本論文中, 乃針對以側磨光纖為基礎的三種光纖極化器進行分析、製
作, 並進而探討其優缺點及可行性。和傳統方法不同的是, 我們採用矽晶
片做為研磨基底, 並已成功地研製出低損耗的側磨光纖。同時藉由設計光
罩時選定不同寬度的V-型槽, 使得研磨深度可控制在一定的大小, 以符合
各種光纖規格的差異。此外, 液滴實驗的結果也和理論的預測十分吻合。
藉由這些高品質的側磨光纖, 我們製作了三種光纖極化器。其中最簡單的
一種是利用液晶的高雙折性來達到選擇極化模的目的。我們利用這種原理
所做出的極化器最高可達到42dB的極化消逝比。第二種極化器則是藉著在
研磨面鍍上金屬膜, 使得TM－極化膜激發表面電漿波而產生比TE－極化模
大的衰減, 因而形成一極化器。金屬本身的損耗性限制了此種極化器的消
逝比。在本實驗中, 我們在研磨面上鍍上鋁膜, 其厚度遠大於其集膚深
度, 而得到一消逝比為20dB左右的極化器。為了進一步提高其消逝比,第
三種極化器所採用的結構是在研磨面和金屬膜間加入一層低折射係數的介
電質緩衝層, 以增加TM－極化模的衰減。藉由在820- nm的側磨光纖鍍
上1500埃的氟化鎂以及1200埃的鋁膜, 我們製作出一消逝比為16dB的極化
器。針對後兩種極化器本論文中分別計算在不同研磨深度及緩衝層度時的
消逝比和損耗。利用一般單模光纖所做出的極化器仍有其問題存在, 在本
論文中建議用極化保持光纖來取代單模光纖, 並提出三種不同的對軸方法
。