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研究生:王程麒
研究生(外文):Cheng-Chi Wang
論文名稱:D^0和D^-在砷化鎵/砷化鋁鎵量子井中之遠紅外光譜分析
論文名稱(外文):Far-Infrared Spectroscopy of D^0 & D^- centers in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
指導教授:張顏暉張顏暉引用關係
指導教授(外文):Y.H.Chang
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:中文
中文關鍵詞:砷化鎵量子井遠紅外光譜摻雜
外文關鍵詞:GaAsQuantum WellFIR spectrumdoping
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本文主要探討D^0和D^- centers 在 GaAs/AlGaAs 量子井中的遠紅外光譜
。實驗設備主要有傅立葉轉換光譜儀與 8T 超導磁鐵,並簡單介紹了自製
的 2K Dewar 及其工作原理。實驗量測的方法為光導量測(
photoconductivity),使用的樣品與所做的實驗有: (1) LM505,(一塊在井
中摻雜1/3井寬的樣品) Faraday Geometry, (4.2k)我們在 B .bksimlr.
7、8 Tesla 看到D^- peak,並認為是由於井中摻雜有一個空間分佈所致
。 (2) LM506,(一塊同時在井中和位障中摻雜的樣品,摻雜濃度位障:位井
為1:1.4) Faraday Geometry,(1.8k)我們看到 D^0(b) (在 4.2K 沒看
到) 的 peak;另外, 我們看到 D^- peak, 其吸收強度大於 D^0 peak,並
且可以 follow D^- peak 直到 2 Tesla 左右。 (3) LM505, Voigt
Geometry,(1.8K)我們看到兩個 peak,分別在 44 cm^(-1),62 cm^(-1),我
們認為 62 cm^(-1)的 peak是 D^0:1s 到 2p^0 的能階躍遷。 (4)
MBE583,(一塊同時在井中和位障中摻雜的樣品,摻雜濃度位障:位井
為2:1) Faraday Geometry,(4.2K)雖然摻雜濃度位障:位井為2:1,實驗結
果井中雜質並非全部形成D^-, D^0 仍可看見。

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