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研究生:鄭治平
研究生(外文):ZHENG, ZHI-PING
論文名稱:P▫型多晶矽閘在P型金氧半場效電晶體上的研究
論文名稱(外文):Study of P▫Polysilicon gate on PMOSFET
指導教授:張俊彥
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1993
畢業學年度:81
語文別:中文
論文頁數:46
中文關鍵詞:P 型多晶矽閘P 型金氧電晶體
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在本論文中,主要針對P型多晶矽閘在P型金氧半場效電晶體上的特性進行研究
。我們利用厚氧化層的元件來研究硼和氟元素在閘極絕緣層內的表現。不同的回火
溫度及時間都加以研討。由二次離子質譜儀,我們得到在二氧化矽中氟會增進硼元
素擴散的直接証據,並且有硼及氟元素在二氧化矽中的描述。
針對P型金氧半場效電晶體,不同的閘極絕緣層(二氧化矽或ONO ),植入的雜質
(B11或BF),及回火溫度(800℃,900℃,1000℃,或快速回火1100℃)都
加以研究,並比較已發表的論文和本論文的差異。最後証實對短通道P閘極元件
而言,回火溫度不能超過 900℃。

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