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研究生:楊健宏
研究生(外文):C.H.Yang
論文名稱:非等向性陽極化所生成之多孔質矽的製程及特性研究
論文名稱(外文):Fabrication and Characteristion of Porous Silicon Layer via Anisotropic Anodization of Si
指導教授:趙書琦
指導教授(外文):Shuchi Chao
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:47
中文關鍵詞:多孔質矽陽極化光制發光量子侷限
外文關鍵詞:Porous siliconAnodizationPhotoluminescencequantum confine- ment
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我們利用Hydrazium在(100)矽晶片上作出V字形的圖案,然後在電解液 HF
加酒精的溶液中進行陽極化反應以生成多孔質矽.結果可得到:當(100)
與(111)平面同時存在時,多孔質矽有選擇性的生成在(111)的平面上.且在
完全相同的電解液濃度,電流密度及作用時間下,(100)面上的光致發光頻
率高於(111)平面.由電流-電壓特性可知欲在(111)平面生成多孔質矽所需
的電壓低於(100).由光熱偏折光譜可決定當電解液濃度下降時,其對應的
能量有向高能偏移的趨勢.

Recently,it is found during our experiment that porous silicon
layer grows preferentially on the (100) over (111) Si surface.
The process consists of two steps. First,hydrazine is used to
etch V-grooves on (100) Si wafer. Second,the (111) walls of
etched V-grooves are selectively anodized in HF/ethanol
solution to form PSL. The anodization step takes place at a
smaller bias voltage for (111) than (100). Under the same
conditions of electrolyte concentration,current density and the
duration for anodization,the frequency is higher for the
measured PL from (100) than (111). From the current-voltage
measurement,we conclude that the formation of PSL on (100)
occurs at higher energy. We are also able to induce a blueshift
in the PL of PSL by controlling the HF concentration at a lower
level from the results of the photothermal deflection
spectroscopy experiment.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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