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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:杜安群
研究生(外文):An-Chiun Du
論文名稱:活性離子蝕刻技術在砷化鎵及二氧化矽基材中製作條狀,光柵與陣列結構的應用
論文名稱(外文):Fabrication of Stripe, Grating and Array Structures in GaAs/ AlGaAs and SiO2 by Reactive Ion Etching
指導教授:戴國仇
指導教授(外文):Kuochou Tai
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:鞘層活性基暗帶
外文關鍵詞:sheathradicaldark space
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本文探討活性離子蝕刻砷化鎵,砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構以及二氧化
矽的各種蝕刻參數對蝕刻速率和蝕刻壁面方向性的影響o並在這些基材中
製作條狀,光柵以及二維圓形陣列結構o使用的活性氣體分別為四氯化矽以
及四氟化碳混合氧氣的氣體o在蝕刻砷化鎵的實驗中,藉由調整氣體壓力,
流量及功率密度,我們得到非等方性以及等方性二種蝕刻結果o利用紫外線
單頻氬離子雷射全像干涉曝光技術以光阻作為光罩,我們成功地在砷化鎵
上製作了週期為240 nm的光柵o同時從砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構的蝕
刻結果可知,利用四氯化矽活性離子蝕刻技術亦可蝕刻砷化鋁鎵這種材料,
但是其蝕刻表面上殘留了一層低揮發性物質o而在二氧化矽方面,我們亦得
到一個良好平整度的蝕刻表面及非等方性蝕刻,並且製作了週期為527 nm
的二氧化矽光柵o

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