(100.25.42.117) 您好!臺灣時間:2021/04/21 17:30
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:杜安群
研究生(外文):An-Chiun Du
論文名稱:活性離子蝕刻技術在砷化鎵及二氧化矽基材中製作條狀,光柵與陣列結構的應用
論文名稱(外文):Fabrication of Stripe, Grating and Array Structures in GaAs/ AlGaAs and SiO2 by Reactive Ion Etching
指導教授:戴國仇
指導教授(外文):Kuochou Tai
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:鞘層活性基暗帶
外文關鍵詞:sheathradicaldark space
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:181
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本文探討活性離子蝕刻砷化鎵,砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構以及二氧化
矽的各種蝕刻參數對蝕刻速率和蝕刻壁面方向性的影響o並在這些基材中
製作條狀,光柵以及二維圓形陣列結構o使用的活性氣體分別為四氯化矽以
及四氟化碳混合氧氣的氣體o在蝕刻砷化鎵的實驗中,藉由調整氣體壓力,
流量及功率密度,我們得到非等方性以及等方性二種蝕刻結果o利用紫外線
單頻氬離子雷射全像干涉曝光技術以光阻作為光罩,我們成功地在砷化鎵
上製作了週期為240 nm的光柵o同時從砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構的蝕
刻結果可知,利用四氯化矽活性離子蝕刻技術亦可蝕刻砷化鋁鎵這種材料,
但是其蝕刻表面上殘留了一層低揮發性物質o而在二氧化矽方面,我們亦得
到一個良好平整度的蝕刻表面及非等方性蝕刻,並且製作了週期為527 nm
的二氧化矽光柵o

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔