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研究生:簡志嘉
研究生(外文):Jyh-Jia Jean
論文名稱:半導體雷射主動鎖模臨界條件之研究
論文名稱(外文):Study of Locking Threshold in Actively Mode Locked Semiconductor
指導教授:高曜煌
指導教授(外文):Yao-Haung Kao
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電信研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:33
中文關鍵詞:半導體雷射主動鎖模動態調移
外文關鍵詞:Semiconductor laserActive mode-lockingDynamic detuning
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本論文以行波速率方程式為基礎,以部分積分法模擬,深入探討主動鎖模
雷射二極體的鎖模行為。本論文改變影響相鎖的四個因素:調變頻率、抗
反射面上的有限反射率、偏壓電流和調變信號振幅並觀察其臨界點變化。
當有限反射率愈小,調移行為愈明顯,較容易得到較短的脈衝,但會有多
重脈衝(multiple pulses)發生。而有限反射率較大者,對於其他三個因
素的改變較不敏感,輸出穩定。此動態調移行為可藉著脈衝峰頂(pulse
peak)和增益峰頂(gain peak)之間的相位差加以澄清。

The locking behavior of actively mode-locked laser diode were
intensively investigated by partial-integration method, which
was derived from traveling-wave rate equations. The dependence
of locking threshold on the modulation frequency, finite
reflectivity on AR-coated facet, bias current, and modulation
amplitude were examined. The lower the finite reflectivity was,
the more shorter the pulse was. And the multiple pulses were
observed as the driving frequency was close to the external
cavity frequency. The pulse width was to some extent
insensitive to the controlling factors for high reflectivity
case. The behavior of above features were able to be clarfied
by the dynamic detuning caused from phase difference between
pulse peak and gain peak.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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