(3.236.231.14) 您好!臺灣時間:2021/04/14 01:45
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:洪昭明
研究生(外文):Tsao-Ming Hong
論文名稱:化學氣相沉積鑽石之成長及其特性分析
論文名稱(外文):Growth and Characterization of Chemical-Vapor-Deposited Diamond
指導教授:陳家富陳家富引用關係
指導教授(外文):Chia-Fu Chen
學位類別:博士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:機械工程研究所
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:英文
中文關鍵詞:鑽石化學氣相沉積法成長機構電漿放射光譜成核密度
外文關鍵詞:DiamondChemical vapor depositiongrowth mechanismOptical
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:144
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
我們致力於尋找鑽石成長的新反應途徑,發現不需要在碳氫化合物中添加
額外的氫氣,即可合成高品質鑽石膜。利用CH4-CO2、C2H2-CO2和 C3H8-
CO2等氣體源合成鑽石膜時,可得良好結晶性鑽石膜的成長速率為傳統使
用之CH4-H2系的數倍以上。由於不使用氫氣,所以沒有氫氣強力爆炸的危
險性。高品質鑽石膜合成時,氣體源的C-H-O比例皆在Bachman三角圖的鑽
石成長區域內。根據電漿放射光譜的分析,我們亦提出了鑽石合成的可能
機構。在稍早的研究結果中,發現在二氧化碳-碳氫化合物添加微量的氫
氣時,對合成鑽石膜的品質會有負的效應,即會降低鑽石膜的品質。為了
深入探討利用微波電漿化學氣相沈積法合成鑽石膜時,氫和氧所扮演的角
色,我們在二氧化碳-甲烷系之氣體源中添加氫氣和氧氣來合成鑽石膜。
發現添加氧氣會改善鑽石膜的品質及擴大鑽石成長的濃度範圍。當氫氧的
添加量增加時,沈積物的成核密度會增加,而氧氣的添加量增加時會降低
沈積物的成核密度。同時由電漿放射光譜的結果顯示隨著氫氣或氧氣的添
加量的增加時,基態的氫原子幾乎不變。但是激發態的原子氫和C2根種會
減少且會有較大量的含氧物種(氧原子、氧分子和OH根)存在電漿中。這
些結果顯示激發態的氫原子對鑽石膜的成長並沒有幫助,C2根種會促進非
晶質碳和石墨的形成且含氧物種會蝕刻非晶質碳和石墨而影嚮鑽石膜的成
長與品質。
Cover
Contents
Contents
Abstract(Chinese)
Abstract(English)
Table captions
Figure captions
Nomenclatur
Chapter 1. Introdction
1.1. Motivation for diamond research
1.2. The purposr of this research
Chapter 2. Literature review
2.1. Properties and types of diamond
2.2. Development of vapor growth methods
2.3. Forms of carbon
2.4. The role of atomic hydrogen
2.5. Effects of oxygen on the diamond depostion process
2.6. Effects of the methane concentration on diamond crystals
2.7. Effects of substrate temperature on diamond crystals
2.8. Effects of foreing substrate materials
2.9. The nucleation and growth mechanism of diamond
2.10. The methods of diamond phase identification
2.11. Microstructures of diamond formed by CVD
Chapter 3. Experimental procedure
3.1. Flow chart of experimental procedures
3.2. Diamond deposition system
3.2.1. Microwave plasma CVD system
3.2.2 Multi-filament CVD system
3.3 Substrate pretreatments and deposition conditions
3.4 Characterization of deposits
Chapter 4. Results and discussion
4.1 Growth of diamond from CO2-(CH4,C2H2,C3H8)gas systems ,without supplying additional hydrogen gas
4.1.1 Morphologies and deposition rates of diamonds created in the CO2-(CG4,C2H2, C3H8)mixed-gas systems
4.1.2 Characterization of diamond film
4.1.3 Construction of C-H-O triangular diagram
4.1.4 Plasma optical emission spectroscopy
4.2 Effect of H2 addition on diamond growth in CO2-(CH4,C2H2,C3H8)gas system
4.3 Role of hydrogen and oxygen in diamond synthesis using carbon-dioxide-methane-gasmixtures
4.3.1 Effects of adding O2 on diamond growth
4.3.2 Relationship between film features and plasma species
4.4 Spectroscopic diagnostic of C-H-O PLASMA RELATED TO DIAMOND DEPOSITION
4.5 Characterization and morphological features of diamond films and particles affected by a diamond-like pre-coated layer
4.5.1 Morphology of diamond films and particles
4.5.2 Surface roughness of diamond films
4.5.3 Characterization of diamond films
4.6 Hmomgeneous and large-area diamond film formed using multi-filament chemical vapor deposition
Chapter 5. Conclusion
Chapter 6. Future work
References
Publication list
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔