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研究生:許相如
研究生(外文):Xu, Xiang-Ru
論文名稱:靜態隨機存取記憶體之薄膜電晶體技術之研究
論文名稱(外文):Study of the technology of thin film transistors for SRAM''s
指導教授:鄭晃忠鄭晃忠引用關係
指導教授(外文):Zheng, Huang-Zhong
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:英文
論文頁數:32
中文關鍵詞:靜態記億體研究電子工程快速高溫回火再結晶變壓耦合電漿氫化汲極補償結構.
外文關鍵詞:ELECTRONIC-ENGINEERINGRTARecrystallizationTCPHydrogenationOffset-Drain Structure.
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由於高密度和低功率消耗之記憶體的強烈需求,以薄膜電晶體為負載的CMOS靜態隨
機存取記憶體(SRAM)將佔據大部份的靜態隨機存取記憶體市場。本文探討各種不同
改善薄膜電晶體操作特性的製程方法以期獲取最佳性能。此處發現:純粹快速高溫
回火處理是有潛能取代長時間爐管回火做為非晶矽再結晶時的處理方法,而有助於
提升產能及降低製作成本。同時,由變壓耦合電漿(TCP) 產生的氫氣電漿可以更有
效地填補存在晶粒間的載子捕捉中心。整合這些製程條件,配合汲極補償(offset)
結構,即可容易地以合乎經濟效益的方式生產具有高開啟/關閉電流比的薄膜電晶
體,應用於高密度靜態隨機存取記憶體元件中。
It has been found that pure RTA treatment has the potential to
replace the furnace annealing for the method of
recrystallization of the amorphous silicon, and that the
hydrogenation plasma produced by TCP could more effectively
passivate the trap centers in the grain boundaries. Integrating
these processing conditions with the offset-drain structure, it
is easy to economically the TFT''s with high on/off-current
ratio.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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