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本論文之研究目的在於製作發光波長為0.98微米之雷射二極體, 以作為摻
鉺光纖放大器(EDFA)之激發光源。本論文首先利用矩陣法 (matrix
method)對於0.98微米脊狀砷化銦鎵/砷化鎵/磷化銦鎵應力量子井雷射二
極體之分項侷限結構(Seperate Confinement Heterostructure)作一模擬
分析, 並建立較佳的材料成長參數以降低雷射之橫向遠場發散角(
transeverse far-field angle) 。此外, 控制脊狀平臺的寬度與深度使
得雷射之橫向光場控制在單模。以期所製成之雷射二極體能達到單模輸出
與低光纖耦合效率等優點。所製作出來之雷射二極體, 其最小起始電流
為25微安, 輸出光功率則可達70微瓦(在共振腔長度為400微米下);內部量
子效率(internal qu antum efficiency)為83.3%,而內部損失則為32.04
cm-1。
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