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本論文之研究目的在於建立磷化銦(InP)及砷磷化銦鎵(InGaAsP)的液相磊
晶技術並製作成發光波長在1.3微米波段的發光元件。本論文首先以液相
磊晶成長的方法成長磷化銦及與磷化銦晶格匹配的砷磷化銦鎵晶膜, 分析
液態組成與固態組成間的關係, 以方便元件結構的設計。且經由X射線繞
射量測及PL量測,分析其成長晶膜的品質, 及摻雜雜質對晶膜特性的影響
。此外, 液相磊晶成長系統的架構及成長的方法, 諸如磷化銦基板熱蝕刻
問題的克服, 成長材料的準備, 及成長過程在論文中亦有詳細的討論。最
後, 以液相磊晶成長的InGaAsP/InP 多層晶膜, 製作成發光二極體,並量
測、探討其電特性與發光特性。
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