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研究生:葉子禎
研究生(外文):Tzu-Jin Yeh
論文名稱:鎢/氮化鎢雙層閘極設計之離子佈植砷化鎵金屬半導體場效應電晶體
論文名稱(外文):Ion-implanted GaAs MESFET's with Bi-layer W/WNx Gate Designs
指導教授:詹益仁先生
指導教授(外文):Mr. Yi-Jen Chan
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:資訊及電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:場效應電晶體離子佈植氮化鎢
外文關鍵詞:Field-effect TransistorIon-implantationTungsten Nitride
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本論文乃研究氮化鎢金屬層在砷化鎵基板上所具有的電性與物性,為了證
明此難熔金屬具有熱穩定性,將試片進行熱處理。氮化鎢不僅具有熱穩定
性,同時也非常適合用來製作離子佈植閘極自動對準場效應電晶體的閘極
。氮化鎢/砷化鎵的交界面應力、薄片電阻係數及蕭基二極體特性,經研
究發現其結果與快速升溫熱處理溫度有一相關性。除了單層金屬,我們也
設計雙層金屬(鎢/氮化鎢)結構,使得在降低電阻係數的同時又可擁有良
好的熱穩定性。最後,利用氮化鎢(單層閘極)與氮/氮化鎢 (雙層閘極)
為閘極材料,製作出離子佈植砷化鎵金屬半導體場效應電晶體,其單層與
雙層之互導分別為143mS/mm及164mS/mm。與單層閘極比較可發現,由於雙
層閘極有較小的閘極電阻,因此雙層閘極設計之場效應電晶體有較佳的高
頻特性。綜合上述所言,得知鎢/氮化鎢雙層閘極不僅具有較小的閘極電
阻,同時又有良好的熱穩定性,因此非常適合用來做為離子佈植自動對準
場效應電晶體的閘極材料。經由實際的量測和HP MDS的模擬,雙層閘極不
僅有較小的閘極電阻,同時比單層閘極有更佳的高頻特性。這對設計一個
高品質的砷化鎵積體電路將更容易達成。

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