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研究生:徐懷仁
研究生(外文):Hsu, Hwai Ren
論文名稱:磊晶成長Cu(In,Ga)Se2/ZnSe異質接面結構
論文名稱(外文):Epitaxy Growth Cu(In,Ga)Se2 Heterojunction structrue
指導教授:曾百亨曾百亨引用關係
指導教授(外文):Tseng,Pai Hen
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:磊晶異質接面晶格不匹配分子束磊晶差排硒化鋅
外文關鍵詞:EpitaxyHeterojunctionlattice misfitMBEdislocationZnSe
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本實驗的目的是希望以分子束磊晶的方式,成長ZnSe/Cu(In, Ga)Se2/GaAs
的磊晶異質面結構。我們主要想探討Cu(In,Ga)Se2/ GaAs磊晶成長及界面
的問題,ZnSe/Cu(In,Ga)Se2磊晶成長及界面的問題,以及Cu(In,Ga)Se2磊
晶薄膜的特性。目前已可在GaAs(100)基板溫度470℃以上時得CuInSe2磊
晶層 ;於GaAs(100)基板溫度340℃以上時得ZnSe的磊晶層結構。經由TEM
觀察分析,得知GaAs(100)基板上長成的CuInSe2磊晶層,並沒有domain結構
的問題,但是由於lattice mismatch 造成界面間有許多misfit
dislocation 的生成。由Vegard's law 計算得知當加入Ga元素形成Cu(
In.23,Ga.77)Se2時可得晶格匹配的結構。經由soda-lime基板上Cu(In,
Ga)Se2 複晶膜的成長分析,得複晶薄膜的成長分析和溫度關係。成份和溫
度關係。於本實驗室的MBE系統,在Cu 1012℃ 、In 680℃ Ga 1030℃ 、
Se 160℃的成長條件,可得到晶格匹配的磊晶層,同時界面上不再有
misfit dislocation 生成。而且也完成ZnSe/Cu In,Ga)Se2/GaAs的磊晶
異質接面結構的成長。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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