本實驗的目的是希望以分子束磊晶的方式,成長ZnSe/Cu(In, Ga)Se2/GaAs
的磊晶異質面結構。我們主要想探討Cu(In,Ga)Se2/ GaAs磊晶成長及界面
的問題,ZnSe/Cu(In,Ga)Se2磊晶成長及界面的問題,以及Cu(In,Ga)Se2磊
晶薄膜的特性。目前已可在GaAs(100)基板溫度470℃以上時得CuInSe2磊
晶層 ;於GaAs(100)基板溫度340℃以上時得ZnSe的磊晶層結構。經由TEM
觀察分析,得知GaAs(100)基板上長成的CuInSe2磊晶層,並沒有domain結構
的問題,但是由於lattice mismatch 造成界面間有許多misfit
dislocation 的生成。由Vegard's law 計算得知當加入Ga元素形成Cu(
In.23,Ga.77)Se2時可得晶格匹配的結構。經由soda-lime基板上Cu(In,
Ga)Se2 複晶膜的成長分析,得複晶薄膜的成長分析和溫度關係。成份和溫
度關係。於本實驗室的MBE系統,在Cu 1012℃ 、In 680℃ Ga 1030℃ 、
Se 160℃的成長條件,可得到晶格匹配的磊晶層,同時界面上不再有
misfit dislocation 生成。而且也完成ZnSe/Cu In,Ga)Se2/GaAs的磊晶
異質接面結構的成長。