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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:蔡博文
研究生(外文):Tsai, Bo Wen
論文名稱:反應性直流濺鍍C軸排向氮化鋁薄膜之研究
論文名稱(外文):Growth of C-axis Oriented Aluminum Nitride Thin Films by DC Reactive Sputtering
指導教授:陳英忠
指導教授(外文):Chen, Ying Chung
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:52
中文關鍵詞:反應性直流濺鍍C軸排向氮化鋁薄膜
外文關鍵詞:DC Reactive SputteringC-axis OrientedAluminum NitrideThin Film
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本論文研究以反應性直流濺鍍來成長c軸排向的氮化鋁薄膜,並藉由x光
繞射測試和電子顯微鏡觀測薄膜表面來判斷薄膜成長之最佳條件和薄膜品
質。經實驗發現:以康寧玻璃為基板,在腔體壓力為3 mTorr,基板溫度250
℃,氬氣/氮氣比為10:1,平均功率253 Watt的條件下可成長出透明,表面平
滑的C軸排向之氮化鋁薄膜。另外,本論文也就腔體壓力,基板溫度,氮氬氣
體比例,基板位置,不同基板表面對薄膜晶格排向的影響作一探討;並且以
電子顯微鏡所觀察的薄膜表面照片來探討腔體壓力及基板溫度的影響。

In this thesis,DC reactive sputtering is adopted to deposit C-
axis oriented aluminum nitride thin films. X-ray diffraction
and SEM measurement are used to evaluate film quality and to
obtain the best conditions for film deposition.The best
conditions for the growth of transparent,smooth,C-axis oriented
aluminum nitride thin films on Corning glass are (1) the
chamber pressure of 3 mTorr,(2) the substrate temperature of
250℃,(3) the ratio of argon to nitrogen of Ar:N2=10:1 and (4)
the average power of 253 Watt.Besides,the influences of chamber
pressures,substrate temperatures,ratios of argon to nitrogen,
substrate positions and different substrate surfaces on the
crystal orientation of thin film are discussed.SEM photographs
are used to evaluate the influences of chamber pressures and
substrate temperatures on film surface morphology.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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