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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:張瑞超
研究生(外文):Chang, Jui Chao
論文名稱:以暫態法模擬二維高電子遷移率電晶體元件
論文名稱(外文):Two-Dimensional HEMT Device Simulation by Transient Method
指導教授:高家雄
指導教授(外文):Kao, Chia Hsiung
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:55
中文關鍵詞:高電子遷移率電晶體波以松方程式薛丁格方程式連續方程式異質接面暫態法
外文關鍵詞:HEMTPoisson equationSchrodinger equationcontinuity equation
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在本論文中,我們針對高電子遷移率電晶體元件,提出一個由波以松方程
式,薛丁格方程式及連續方程式所組成之模型.此模型並且考慮了越過異
質接面的電流與砷化鎵鋁區之電流.我們使用暫態法模擬本元件.暫態法
之優點在於可觀察任意時間之各種參數.但我們的重點在於求穩態時之各
種結果.結果我們的方法於收歛範圍有所改進.且我們模擬的結果說明,
越過異質接面的電流與砷化鎵鋁區之電流對模擬出元件內之電流有相當大
的幫助.

In this thesis,we employ a model consisting of Poisson equation,
Schrodinger equation and continuity equation to simul- ate HEMT.
This model consider the current across heterojunction and the
current througt AlGaAs region. We simulate this device by using
transient method.The benefit of transient method was the
ability of extracting para- meters at any time.We focus on the
results of static state. Finally,the converge region of our
method is improved. The result proved that the current across
heterojunction and the current througt AlGaAs region play a
important role of the current component.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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