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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:黃仲仁
研究生(外文):Hwang, Chong Zern
論文名稱:以流量調變式有機金屬化學氣相沉積法在矽基板上成長砷化鎵異質磊晶膜
論文名稱(外文):Flow-Rate Modulation Heteroepitaxy of GaAs on Si by MOCVD
指導教授:李明逵
指導教授(外文):Lee, Ming Kwei
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:56
中文關鍵詞:流量調變式砷化鎵/矽異質磊晶
外文關鍵詞:Flow-rate modulationGaAs/SiHeteroepitaxy
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我們以流量調變式有機金屬化學氣相沉積法研究砷化鎵 /矽異質磊晶結構
之結晶品質。其中分別探討成長時間、成長溫度、三乙基化鎵與氫化砷流
量及時段模式等。我們成功地成長出單晶且鏡面的砷化鎵 /矽。一微米厚
的砷化鎵磊晶膜中,其77 K光激發光譜半高寬只有7.0 meV且有1,190
cm2 /V*sec高的電子漂移速率。此外並與傳統成長方式比較之下,在相同
磊晶膜厚度,用流量調變式的方法其光激發光譜之半高寬與理想因子皆優
於傳統成長方式。而且,我們更以液相沉積法在矽基板上成長二氧化矽,
經適當的處理使之曝露出部份之矽區域,然後以選擇區域磊晶比較流量調
變式與傳統成長方式之差異,我們更確定流量調變式有機金屬化學氣相沉
積法可改善砷化鎵 /矽異質磊晶結構,尤其在光電積體電路方面。

In this work, we study the flow-rate modulation epitaxy (FM E)
effects on the crystal quality of GaAs/Si structures grown by
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The
electrical and optical properties of as-grown
heteroepilayers will be described as functions of the
GaAs growth time, growth temperature, the TEGa and AsH3
flow rate, and clock mode. We successfully obtain single
crystal and mirror-like surface. 77 K photoluminescene (PL)
full width at half maximum (FWHM) 7.0 meV and electron
mobility 1190 cm2 /V*sec can be obtained for 1 um- thick
epilayer of GaAs/Si. We compare FME with conventional
MOCVD. It has been shown that such a heterostructure makes
it possible to combine the advantages of both GaAs and Si
materials providing potential applications in high speed
and optical devices.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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