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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:陳榮欽
研究生(外文):Chen, Rong Chin
論文名稱:釓金屬薄膜與矽晶之界面反應研究
論文名稱(外文):Interfacial reactions of Gd thin films on (111)Si
指導教授:陳力俊陳力俊引用關係
指導教授(外文):Chen, Lih Juann
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:英文
中文關鍵詞:磊晶超晶格非晶質矽化物
外文關鍵詞:epitaxyvacancysuperlaticeamorphoussilicide
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此研究乃由超高真空電子槍蒸鍍釓金屬在矽晶上, 直接由 X光觀察其組織
成份的相變化, 或者經由氮爐及快速熱退火爐的熱處理 , 再用穿透式電
子顯微鏡來觀察分析平面以及橫截面之試片。所得到之結果主要如下所
示: (1) 未退火之試片會有非晶質結構混合層之形成, 在金屬薄膜厚度小
於0.01微米時, 會完全非晶質化。 (2) 500 C 退火一分鐘時, 可形成六
方晶體的磊晶矽化物, 其方向關係為 [0001]GdSi2-x//[111]Si 及
{10-10}GdSi2-x//{11-2}Si。 (3) 600 C 退火一分鐘時, 由於規則的空
位形成在磊晶的金屬矽化物裡, 其所造成的小點出現在 1/3<11-20>上。
(4) 900 C 退火一分鐘時有第二相的產生, 其方向關係為[010]GdSi2
//[111]Si 及 {200}GdSi2 與 {2-20}Si 幾乎平行但有一小角度的偏差
。 (5) 在700 C 同樣條件下退火, 金屬薄膜厚度厚者 (0.03微米) 會有
金屬氧化物產生, 而厚度薄者 (0.01微米) 則不會有金屬氧化物的產生
。 (6) 面缺陷經分析確定為疊差, 位於{10-10} 面上, 而其位移向量為
1/6<-12-13> 且其密度隨溫度上升而下降。
Cover
Acknowledgements
Abstract
Contents
PATR I. INTRODUCTION
Chapter 1 Introductiion
1.1 An Overview
1.2 Applications of Silicides
1.3 Applications of Oxides
1.4 Rare Earth Silicides
1.5 Rare Earth Oxides
Chapter 2 Solid-State Amorphization
2.1 Introduction
2.2 Factors Influencing Amorpization
2.3 Heat of Formation of Solid and Liquid Alloys
2.4 Kinetic Aspects of Solid-State Amorphization
Chapter 3 Epitaxial Silicides
3.1 Introduction
3.2 Theories of Silicide Formation
3.3 Structure of Silicide/Si Interfaces
3.4 Epitaxial Silicides
3.5 Structure of RE-Silicide/Si Interfaces
PART II. EXPERIMENTAL PROCEDURES
Chapter 4 Experimental Procedures
4.1 Initial Wafer Cleaning
4.2 Thin Metal Film Deposition
4.3 Thermal Annealing
4.4 Sample Preparation for Transmission Electron Microscope Observation
4.5 Transmission Electron Microscope Observation
4.6 EDAX Analysis
4.7 X-Ray Diffraction
4.8 Computer Simulation of High-Resolution Images
PART III. RESULTS AND DISCUSSION
Chapter 5 Growth Kinetics of Amorphous Interlayer in Ultrahigh-Vacuum-Deposited Polycrystalline Gd Thin Films on (001)Si
5.1 Motivation
5.2 Sample Preparation
5.3 First Nucleated Phase in Gd/Si Diffusion Couple
5.4 Aspect of Solid-State Amorphization
5.5 Summary and Conclusions
Chapter 6 The Determination of The Dominant Diffusing Species in The Formation of Amorphous Interlayer Between Gd and Si Thin Films by Marker Experiments
6.1 Motivatioin
6.2 Experimental Procedures
6.3 Analysis of Auto-Correlation Function
6.4 Composition Distribution
6.5 Summary and Conclusions
Chapter 7 Interfacial Reactions of Gd/Si System at High Temperature
7.1 Motivation
7.2 Experimental Procedures
7.3 Epitaxial Growth of Silicide
7.4 Orientation Relationships between Silicide and Si
7.5 Imperfections in Thin Silicide Film
7.6 Summary and Conclusions
Chapter 8 Defect Structure in Epitaxial GdSi Thin films on (111)Si
8.1 Motivation
8.2 Experimental Procedures
8.3 Stacking Faults
8.4 Vavancy Ordering
8.5 Pinholes
8.6 Summary and Conclusions
Chapter 9 Formation of Gd oxide thin films on (111)Si
9.1 Motivation
9.2 Experimental Procedures
9.3 Results and Discussion
9.4 Conclusions
PART IV. SUMMARY,CONCLUSIONS AND FUTURE PROSPECTS
Chapter 10 Summary and Conclusions
Chapter 11 Future Prospects
References
List of Tables
List of Diagram
Figure Captions
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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