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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:卿愷明
研究生(外文):Ching, Kai Ming
論文名稱:氮化錳薄膜之製備研究
論文名稱(外文):A study of magnetic properties of Mn4N thin films
指導教授:金重勳金重勳引用關係
指導教授(外文):Chin Tsung Shune
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:氮化錳薄膜垂直異方性應力柱狀結構
外文關鍵詞:Mn4N thin filmsperpendicular magnetic anisotropystress
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本研究成功地利用直流磁控反應性濺鍍法在低基板溫度(150℃至250℃)的
條件下,直接形成Mn4N相,而不須任何後續熱處理。製作出來之薄膜為具
有 (002)優選方向之序化結構 (ordered structure)。薄膜之磁性呈垂直
異方性,垂直膜面方向之矯頑磁力最高可達平行膜面方向之 2.7 倍。本
研究以應力及微結構探討垂直異方性之來源。在應力方面,發現拉應力可
造成薄膜之垂直異方性。在微觀結構方面,發現薄膜有柱狀結構,而柱狀
體之直徑大小是影響垂直膜面方向矯頑磁力大小之重要因素。故柱狀結構
造成的形狀異方性亦為薄膜呈垂直異方性之主要原因。然而由應力測量得
知,基板溫度愈高則拉伸應力愈大。但垂直膜面之矯頑磁力卻不隨拉伸應
力增加而增大。故應力的效應較形狀異方性的效應小。薄膜呈垂直異方性
之主要原因為柱狀結構造成的形狀異方性。

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