跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.200.27.215) 您好!臺灣時間:2024/04/15 05:28
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:林俞谷
研究生(外文):Lin, Yu-Ku
論文名稱:超薄鉑矽蕭基二極體之電性與光性研究
論文名稱(外文):The electrical and optical properties of ultra thin PtSi diodes
指導教授:黃振昌黃振昌引用關係
指導教授(外文):Hwang, Jennchang
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1994
畢業學年度:82
語文別:中文
中文關鍵詞:鉑矽化物蕭基能障高度理想因子
外文關鍵詞:platinum silicideSchottky barrier heightideality factor
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:1421
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
PtSi/p-Si(100) 蕭基二極體在 3-5 微米紅外線偵測器有很廣泛的應用,
一般PtSi薄膜的厚度在 20-100 埃有最大的量子效率。本論文將討論在超
高真空 (ultra high vacuum) 下製程所得到的超薄 PtSi/p-Si(100)蕭基
二極體的電性與光性。本實驗使用 25-35 Ω-cm 的 p-Si(100) 晶圓,經
過標準的清洗步驟,再送進Ulvac 雙電子鎗共鍍系統的真空腔,待真空度
至 1E-10 torr 後,再進行蒸鍍 Pt 的程序。蒸鍍的條件有四︰在低溫蒸
鍍 15,25,100埃的 Pt,接著升溫至 450℃ 進行一小時的真空退火,形
成 PtSi/p-Si(100 ) 的結構,或在 450℃ 的高溫下蒸鍍 Pt,並逕行退
火。在電性方面, 室溫蒸鍍 Pt 的理想因子最好,在 77K 至 100K 均為
1.02,不隨溫度而異。其他試片則出現了理想因子的溫度效應,溫度升高
,理想因子下降。理想因子的溫度效應歸因於 PtSi/p-Si(100) 的界面
有 interfacial states 而引發的再結合電流所導致。理想因子的溫度效
應出現與否,可作為判斷 PtSi/p-Si(100) diodes 的好壞。在光性方面
,在 500-4000 cm-1 之間,PtSi 的吸收由 free carri- -er
absorption 所主導,由二維量子效應產生的 interband transition很小
。  本文分五章:第一章緒論;第二章實驗方法;第三章電性量測;第
四章紅外光吸收量測;第五章結論。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top