跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.201.97.0) 您好!臺灣時間:2024/04/19 13:02
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:林俊宏
研究生(外文):Lin Chung Hung
論文名稱:高速熱處理過程中晶圓溫度均勻性之探討
論文名稱(外文):An Analysis of The Temperature Uniform Across The Wafer During Rapid Thermal Processing
指導教授:林育才
指導教授(外文):Lin Yur Tsai
學位類別:碩士
校院名稱:元智大學
系所名稱:機械工程研究所
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:82
語文別:中文
論文頁數:100
中文關鍵詞:高速熱處理過程晶圓熱輻射線追蹤法
外文關鍵詞:Rapid Thermal ProcessingWaferRay-tracing
相關次數:
  • 被引用被引用:1
  • 點閱點閱:250
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
半導體工業一向被譽為電子工業之母,近年來半導體工業之精進發展更使
得科技水準大大提昇。半導體製作技術之升級除了製作程序的革命性改良
外,硬體設備的不斷推陳出新也是重要的一環。其中高速熱處理過程便是
一項革新的設備與過程,其對晶片製作品質之提昇有相當大的幫助。然而
高速熱處理過程之使用年齡尚淺,對於其爐子之性能與設計準則尚無較詳
細的研究報告出現。由於晶片製作過程中許多步驟皆利用到高速熱處理過
程,在其熱處理過程中晶圓表面溫度之均勻性影響晶片品質甚鉅,因此高
速熱處理過程中晶圓溫度均勻性之探討乃為當前半導體製作技術的一個重
要課題。本文主要重點乃是利用熱輻射線追蹤法來模擬整個高速熱處理過
程中的所有熱輻射行為,包括放射、反射、吸收等。籍此方法計算出晶圓
表面之輻射熱通量分佈,進而求出其溫度與熱應力分佈以供熱處理過程中
化學反應與晶圓安全性之參考,並試由簡單的幾何分析與光學性質之探討
來找尋一個最理想的熱處理過程。
Rapid Thermal Processing is a tool for the reduced thermal
budget required for semiconducrtor techonology with reduced de-
vice dimensions. However, the nonunifor distribution of
tempera- ture across a wafer is still a problem during rapid
thermal pro- cessing. The temperature nonuniformity will result
in nonunifor- mity of layers which are grown or deposited on
the wafer surface . Moreover, a large temperature variation on
the wafer surface will generate strong thermal stress which may
result in slip dislocation lines on the wafer. There are many
factors which affect the temperature distri- bution across the
wafer, such as the geometrical shapes of the wafer edge, the
characteristics of the wafer surface, furnace walls and
reflectors, position of the wafer in the furnace, the
allocation of heating lamps, etc. The major mechanism of heat
trasfer that determine the wafer temperature distribution are
thermal conduction inside the wafer and thermal radiation be-
tween the lamps, the reflectors of the characteristics of the
wafer surface, furnace walls and reflecors, position of the wa-
fer and the lamps on the temperature distribution and themal
stresses across the wafer. The results show that the effects of
the position of the lamps and the wafer on the temperature
distribution are critical , especially the position of lamps.
There does exist an opti- mized positon for the lamps to have
more uniform temp. distri- bution and small thermal stresses.
It is also show that the higher the reflectivity of the
reflectors and the furnace walls, the more nonuniform temp.
distribution will be obtained. Smaller values of emissivity of
the wafer surface would also increase the temp. uniformity
across the wafer.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top