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研究生:江國成
研究生(外文):Jiang, Guo Cheng
論文名稱:GaAs:Pr、GaAs:S、InGaP、InA1As能隙邊緣之光致發光譜研究
論文名稱(外文):GaAs: Pr、GaAs: S、InGaP﹑InA1As能隙邊緣之光致發光譜研究
指導教授:張連璧張連璧引用關係陸續陸續引用關係
指導教授(外文):Zhang, Lian BiLu, Xu
學位類別:博士
校院名稱:中正理工學院
系所名稱:國防科學研究所
學門:軍警國防安全學門
學類:軍事學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:中文
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封面
1. 緒論
2. 光致發光躍遷理論
2.1 光致發光的基本原理
3.實驗裝置
4. Pr元素摻雜GaAs薄膜之光2發光譜
4.1 文獻背景及研究動機
4.2 樣品的條件及檢測程序
4.3 實驗結果與討論
4.3.1 結晶狀況觀察
4.3.2 光致發光譜發光途徑、峰譜本型與摻雜相關之演化
4.3.3 稀土元素Pr之特性發光譜
4.4 結論
5. 硫摻雜GaAs半導體磊晶膜之光致發光譜
5.1 引言
5.2 樣品的條件及檢測程序
5.3 實驗結果與討論
5.3.1 磊晶狀況觀察
5.3.2 光致發光譜
5.3.3 各發光峰譜起源之辨認
5.3.4 發光途徑、峰譜線型與溫度相關之演化
5.3.5 拉曼散射光譜
5.4 結論
6 InGaP薄膜之光致發光與拉曼散射光譜
6.1 引言
6.2 文獻背景及研究動棧
6.3 實驗結果與討論
6.3.1 磊晶狀況觀察
6.3.2 光致發光譜
(一)各發光峰譜起源之辨認
(二)與聲子釋放相關的發光峰譜
6.3.3 拉曼散射光譜
6.4 結論
7. 半導體InAlAs的拉曼散射與光致發光譜
7.1 引言與文獻回顧
7.2 動機及研究方向之考量
7.3 樣品條件
7.4 結果與討論
7.4.1 雙晶X光繞射檢視
7.4.2 光調制光譜
7.4.2 拉曼散射光譜
7.4.4 光致發光譜
7.5 結論
8.總結
參考文獻
自傳
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