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研究生:孫效文
論文名稱:異核雙金屬化合物行化學氣相沈積反應的探討
論文名稱(外文):Studies of Heterodinuclear Compounds as Precursors for Chemical Vapor Deposition)
指導教授:吉凱明
學位類別:碩士
校院名稱:國立中正大學
系所名稱:化學學系
學門:自然科學學門
學類:化學學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:中文
論文頁數:59
中文關鍵詞:化學氣相沈積法金屬化合物
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由於半導體電子材料及磁性材料的開發及應用,利用化學氣相沈積法沈積金屬合金薄膜是一具相當潛力且亟待開發的領域。本研究是利用二系列文獻上已發表的異核雙金屬有機金屬化合物,在200~400℃的溫度範圍下作為低壓化學氣相沈積金屬合金薄膜。
由金屬-β-二酮基化合物 Al[(CH3CO)2Mn(CO)4]3及Al[(CH3CO)2Re(CO)4]3為前驅物,所沈積的薄膜經由XRD, EDS, AA的分析顯示薄膜內包含金屬及金屬氧化物,並非我們所預期的合金化合物。
而使用含有過渡金屬-錫鍵的羊炭基烷基化合物作為前驅物可以沈積金屬合金薄膜。其中以Ph3SnMn(CO)5利用熱壁式反應系統於300℃可沈積MnSn2合金薄膜,而其Mn/Sn比例由EDS及AA的鑑定可得接近1/2,沈積速率為1.4μm/h。而利用前驅物Ph3SnCo(C0)4,Me3SnCo(CO)4在冷壁式反應器中於250-300℃的溫度範圍下可沈積CoSn合金,由SAM, EDS, AA的分析顯示薄膜為多晶系合金而其中仍含有碳及氧,其沈積速率為2-8μm/h。


Two series of organometallic compounds were used as single source precursors for deposition of metal alloys by low pressure chemical vapor depsition over the temperature range 200-400℃.
Thin films were deposited from two metalla-β-diketonate compounds Al[(CH3CO)2Mn(CO)4]3 and Al[(CH3CO)2Re(CO)4]3. However, XRD, EDS and AA analyses showed that these films were consisted of metal and metal oxide mixtures.
Using compounds containing transition metal-tin bond as precursors for chemical vapor deposition could deposit metal alloy thin films. MnSn2 thin films were obtained from decomposition of Ph3SnMn(CO)5 at 300℃. Mn/Sn ratio characterized by EDS and AA were near 1/2 and deposition rate was 1.4μm/h. CoSn alloy films were obtained by cold wall CVD process with Ph3SnCo(CO)4 and Me3SnCo(CO)4 at temperature range 250-300℃. SAM, EDS, XRD and AA analyses revealed that these films were polycrystalline alloy with small amount of carbon and oxygen impurity. The deposition rates were 2-8μm/h.

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