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研究生:白鳳霆
研究生(外文):Pai ,Fong Ting
論文名稱:場效電晶體次臨界特性分析與微功率放大器設計
論文名稱(外文):Subthreshold Region MOSFET Characteristic Analysis and Micropower Amplifier Design
指導教授:鍾文耀鍾文耀引用關係
指導教授(外文):Chung, Wen Yaw
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:電子工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:中文
中文關鍵詞:次臨界場效電晶體微功率心律調節器
外文關鍵詞:SubthresholdMOSFETMicropowerPacemaker
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本論文的主要研究目的在提出一套簡易的方法,對於場效電晶體之次臨界
區操作特性進行預估,並將其應用於微功率放大器的設計上。由於微功率
放大器所應用到的操作範圍在次臨界區,不同於一般所使用的操作區,是
以往強反轉區的設計概念所不及,針對此一問題,吾人從事場效電晶體次
臨界區操作特性之探討,以聯華電子公司 CMOS 3.0 微米 DPSM(Double
Poly Single Metal) 的製程技術為基礎,對於本製程的20個隨機樣本進
行量測,並針對次臨界區之直流特性加以分析,提出一套電流預估準則,
以利電路設計時所需,將模型值和量測值加以比對後,確實能正確的預估
電晶體次臨界區之電流,而其次臨界區電流值的相對誤差,可以至百分之
十以下。在本論文中,所有測試鍵(Test Key)、量測架構及流程均由吾人
自行規劃並完成,其中包含測試鍵的設計與佈局、量測儀器硬體介面的安
裝、控制軟體撰寫及運算程式的設計等。藉由此套完整的量測流程,讓量
測資料的取得更為容易,使得研究能順利進行。最後,吾人應用所提出的
電流預估準則,設計出三個適合於心律調節器前置放大電路所使用的微功
率放大器,並且以自行萃取出的BSIM1 模型參數,進行電路模擬,在3 伏
的電源電壓操作下,其功率消耗皆在微瓦特的級數。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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