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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:李俊鴻
研究生(外文):Lee ,Jun-Hong
論文名稱:溫度梯度溶液長晶法成長碲化鋅鎘之研究
論文名稱(外文):Study on CdZnTe Crystals Prepared by Temperature Gradient Solution Growth
指導教授:樂錦盛
指導教授(外文):Ro,Chin-Sheng
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:應用物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:中文
中文關鍵詞:補償光激螢光偏析空位沉積
外文關鍵詞:CompensationPhotoluminescenceSegregationVacancyPrecipitate
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本實驗採用溫度梯度溶液長晶法(Temperature Gradient Solution
Growth),以碲當溶劑(Te-rich)成功地由元素材料合成全系列的碲化鋅鎘
晶體。此外,在碲化鋅鎘晶體成長過程中,我們也嘗試摻雜氯(Cl)或釩(
V)來補償鎘空位(Cd-vacancy),以獲得可製作輻射偵檢器的高阻值碲化鋅
鎘晶體。  由X-ray 繞射量測所定出晶格常數,我們已經確定由Te-
rich的溫度梯度溶液長晶法,的確可以合成全系列的碲化鋅鎘晶體。利用
光激螢光( PL)量測發現以溫度梯度溶液長晶法所成長的碲化鋅鎘晶體,
縱向組成存在有鋅的偏析效應,徑向組成則相當均勻;而且在光激螢光譜
上,可發現數種不同型態的激子躍遷所放出的光譜。全系列的碲化鋅鎘晶
體為P-type,載子移動率為50∼70 cm^2/V.sec ,腐蝕坑洞密度為10^4
∼10^5/ cm^2。由於低的長晶溫度(900℃)及大溫度梯度(>20℃/cm^2)
的特點,故在晶體所做傅利葉轉換紅外光譜量測(FTIR)中,可斷定垂直式
布里茲曼法所成長的晶體具有較低的鎘空位,並且在鋅莫耳分率小於0.6
的晶體中看不出有大量碲沉積(Te-precipitate)的存在。藉由氯或釩摻雜
所成長的晶體,我們從光激螢光量測上可看出的確達到補償鎘空位的效果
。在製成光導式輻射偵檢元件後,對Am(原子量241)輻射源59.5keV能量解
析的半波高寬(FWHM):對CdTe:Cl(300ppm)為4.97 keV,而對鋅莫耳分
率0.04的CdZnTe:Cl(1000ppm)為4.53keV。對Co(原子量57)輻射源122keV
能量解析的半波高寬:CdTe:Cl(300ppm)為6.66keV,對鋅莫耳分率0.04的
CdZnTe:Cl(1000ppm)為6.04keV皆已達商用水準。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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