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研究生:李信儒
研究生(外文):Lee,Hsin Ju
論文名稱:金屬與複晶矽接觸系統之氫(氧)被覆處理之研究
論文名稱(外文):The Study of Hydrogen (Oxygen) Passivation Effects on Metal (Al(1%Si)) / Polysilicon Contact Systems
指導教授:楊文祿
指導教授(外文):Yang,Wen Luh
學位類別:碩士
校院名稱:逢甲大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:英文
中文關鍵詞:接觸電阻電漿氫化位能障缺陷
外文關鍵詞:contact resistancehydrogen plasmabarrier heightdefect state
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隨著半導體技術的突飛猛進,元件尺寸也隨之日益縮小,但淺接面效應及
接觸面積的縮小,反而帶來元件寄生電阻的增高,這對元件操作特性上有
相當大的影響力。所以如何降低接觸電阻,就成為現在半導體製程技術的
一大課題。在本論文中,我們發現在鋁對複晶矽的接觸系統中,由於電漿
氫化的處理,接觸電阻獲得十倍左右的改善。而一般認為改善接觸電阻的
原因不外是雜質濃度的提高和位能障的降低,所以我們從鋁—複晶矽之肖
特基二極體的電漿氫化結果探討位能障變化問題,及從二次離子質譜儀資
料中研究雜質濃度的分佈曲線,最後我們發現藉由氫被覆使得接觸電阻的
降低並不是由於雜質濃度的改善,或是位能障的降低,而可能是電子移動
率的改善,其意味著在鋁與複晶矽介面處的缺陷可藉由氫被覆的處理而降
低。除此之外,鋁與複晶矽接觸經過電漿氫化、氧化、氫化/氧化之後,
接觸電阻的改變及對溫度的穩定度,在此也稍作討論。我們可以看出氧原
子具有較佳之溫度穩定度,這是因為氧原子比氫原子重,較不易因高溫而
往外擴散,失去覆蓋作用。  而電漿氫化/氧化在薄膜電晶體所造成的
影響,也是本論文討論的重點之一。我們發現藉由電漿氫化/氧化的處理
,對電流—電壓特性也有很大的改善作用,這是因為氫與氧原子可以有效
降低複晶矽和介面處的兩種缺陷,而氧原子本身不但可以彌補缺陷,也可
以加強氫對於缺陷的彌補效應。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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