為了減少元件彼此間的寄生作用與改善基板的磊晶品質對元件特性的影響
，各種形式的緩衝層已經廣泛地被研究。根據文獻結果，砷化鋁鎵／砷化
鎵超晶格之緩衝層被證實具有改善磊晶品質及提昇元件特性之功能。由於
多重量子位障結構(multi-quantum barrier) 亦屬超晶格結構卻可提昇位
障值，因此；我們認為以多重量子位障作為場效電晶體之緩衝層，除了具
有超晶格緩衝層之優點外，其增加之位障高可以更有效地將電子載子侷限
在通道內，降低元件間彼此的交互作用。 本論文主要探討多重量子位
障結構在緩衝層上的應用，利用增加緩衝層之位障高，研究其對降低經由
緩衝層之漏電流的影響。另外，製作具多重量子位障結構緩衝層與一般異
質結構緩衝層之金屬－半導體場效電晶體，並比較其元件特性。
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